Нюансы инверторстроения на базе EG8010

Делал самодостаточный инверторный модуль для импульсного стабилизатора.

eg8010piout

IMG_3070

Каков результат?

Инвертор делался по классической схеме. В качестве ключевых транзисторов взял 4 штуки «крутых» IPW65R037C6 65C6037 надеясь на их «дубовость» по напряжению и току. Как ни странно, пара таких на половине переключения 50 Гц вышла из строя через 10 сек, унеся с собой драйвер затвора IR2110. Пришлось заменить на имеющийся IR2113.

Кстати сказать, IR2113 практически не отличается от IR2110, но у нее имеется супервизор питания. Она не работает от напряжения менее 12В! т.к. она расcчитана на раскачку именно IGBT

Для управления затворами использовал источник питания на 10В. Пришлось доработать этот свисающий «модулёк» до 13В, — благо одним стабилитроном решилось…

IMG_3068 IMG_3069

Так так я отложил оставшиеся 6 транзисторов IPW65R037C6 для трехфазного инвертора, воткнул за место отказавших пару IXFH60N50P3. Эти «HiperFET`ы» проигрывают IPW65R037C6 по току канала, по сопротивления канала (более чем в 2 раза!) и допустимому напряжению сток-исток. Однако у IPW65R037C6 входная емкость 14 нФ, выходная почти 44нФ! В датащите эти емкости скромно «умалчиваются» заменив на энергию. Хотя и это слишком много. Возможно транзисторы контрафактные?

Хватит сомнений, тесты… около 1200 Вт: (1,5 кВт тепловая пушка, но напряжение немного снижено)
IMG_3072 IMG_3073

Это «хозяйство» с трансформатором нужно для поднятия входного напряжения. Я Получил почти 340В. Но это максимальное, действующее намного ниже. Для теста на полную мощность конденсаторов не достаточно. Нужен DC/DC от аккумулятора, что я вскоре буду делать.

IMG_3076

Не даром я так «опечатался». Может быть они «почти удачная Китайская подделка»?

IMG_3077 IMG_3078

Помехи действительно сильные. Ни один цифровой вольтметр/термометр не стал работать 🙁 Инверторы со сквозной нейтралью дают меньше помех, а если заморачиваться с таким, то можно и 3-х фазный сделать, тем более что есть готовый ASIC: EG8030.

Вывод: IPW65R037C6 не смотря на свою крутизну греется очень сильно при сравнительно небольшом токе. Сказывается его «чудовищная» выходная емкость, которую со скоростью 22000 раз в сек надо зарядить и разрядить до 340В 🙂 Нагревается до 45 град С.
Интересно, что будет если с такой же скоростью заряжать его до 600В в 3-х фазном?

А вот «слабочек» IXFH60N50P3 не греется вообще, качая свою малую емкость со скоростью 50 раз в сек. Так что разумнее IPW65R037C6 пересадить на сторону, коммутации 50 Гц, а вот на сторону ШИМ ставить вообще IGBT. Их емкость мала, но они намного «дубовее»любого FET-а… Потери на отсечке пропорциональны току.

Для IGBT нужен специфичный снаббер, а также повышенное управляющее напряжение, т.к. отсечка 1,6-2,6В, отсечка диода драйвера, и подать надо не менее 12В. Итого 15В, а если применять цепочку отрицательного смещения… то и все 18В.

Пример снаббера:

74_1342709813_thumb

Пихать ли IPW65R037C6 в 3-х фазный на EG8030? Я уже сомневаюсь. Будут как минимум греться, если не скончаются при загадочных обстоятельствах. Нужно делать на 900V IGBT.

Продолжение эпопеи следует…

Leave a Reply